国产EUV光刻机即将面世了吗？综合多方面消息，此刻我们或许能做出一个勇敢的预测：国产EUV光刻机的原型机，最有可能在今年下半年与我们见面。

4月29日，据南华早报报道，阿斯麦前首席科学家林楠博士所率领的团队，在EUV光刻机技术领域取得了最新进展。林楠团队研发的固体激光器，在电光转换效率上已达国际领先水平，有望作为新一代激光等离子体极紫外光刻光源的驱动核心。

我查阅了林楠博士的背景信息，确实是一位杰出的专家。他在荷兰阿斯麦公司担任过研发部门的科学家及量检测光源技术的领头人，期间共申请并获得国际专利110项。值得一提的是，他的导师正是2023年诺贝尔物理学奖的得主安妮·吕利耶。2021年，林楠归国，加入中科院，专注于极紫外光源与芯片量检测两大研究领域。

那么，此番林楠团队所取得的固体激光器领域的突破，究竟具有怎样的意义呢？

首要的是，需明确EUV光刻机的研发挑战极为艰巨，现今全球范围内，仅荷兰的阿斯麦公司具备生产能力。并且，阿斯麦之所以能制造出EUV光刻机，得益于整个西方工业界的共同努力与突破。这款光刻机，亦称极紫外光刻机，面临诸多研发障碍，其中最为关键的难题包含三个方面：即光源的获取、光学系统的构建以及设备整体的制造。

首要的是光源问题，EUV光刻机需依赖稳定的13.5纳米波长极紫外光，此为前提方能成功制造7纳米及以下级别的芯片。今年1月，哈尔滨工业大学传来喜讯，他们已成功研发出13.5纳米极紫外光源，这无疑标志着我国在EUV光刻机技术上取得了从零到一的重大飞跃。

比如说，水的沸点设定在100摄氏度，当你点燃一根火柴，其瞬间产生的温度远超100摄氏度，然而仅凭一根火柴几乎不可能煮沸整壶水，原因在于火柴的燃烧太过短暂，无法维持必要的稳定高温。EUV光刻机的运作亦是如此，它不仅需要13.5纳米的极紫外光源，更重要的是能够持续稳定地输出这一波长的光线，这就需要一套精密的光学系统作为支撑。林楠团队所取得的进展，正是在这一关键环节上。

诚然，即便拥有了光源和光学设备，制造EUV光刻机也绝非易事。被誉为人类史上最复杂精细的装置，EUV光刻机内含逾十万个精密组件，这显然非单一研究团队所能独立承担，它呼唤的是一个广泛而强大的供应链体系作为支撑。而这，正是中国所具备的核心强项。

浏览上月报道，华为参与的EUV光刻机研发项目已步入测试环节，标志着我们在EUV光刻机制造技术上已接近尾声。正因如此，我开篇提及，预计最快在本年下半年，国产EUV光刻机或将面世。

审视我国EUV光刻机的研发征途，我们并未沿袭逐一技术突破的传统路径，而是将整体技术细分为多个模块，分配给不同团队分别攻克，故而实现了多点并进、全面开花的局面。从这一视角观察，中国取得的成功实属水到渠成。往昔，西方或许能采取此策略，但时至今日，他们已难以复现，唯有中国，在当下能独当此任。

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